Chanzon 2N60 TO-220AB NMOS MOS N-Channel Power MOSFET Transistor, alto voltaje y corriente nominal, (paquete de 10 unidades)

Lo más importante

Transistores de la marca CHANZON

• Marca: CHANZON
• Categoría: Transistores
• Dimensiones: 7.09 x 5.91 x 0.51 pulgadas
• Calificación: 5,0/5
• Valoraciones: 2

Datos técnicos destacados

• Dimensiones reportadas: 7.09 x 5.91 x 0.51 pulgadas (18.0 x 15.0 x 1.3 cm).
• Peso aproximado: 1.0 lb (0.5 kg).
• Calificación promedio de 5,0/5.
• 2 valoraciones visibles.
• Posición destacada en Transistores MOSFET: #4.
• Disponible desde octubre de 2020.

Preguntas resueltas

MOSFET de potencia de canal N de silicio - CS2N60 A8H es un transistor de potencia de alto rendimiento diseñado para una conmutación de potencia eficiente en diversas aplicaciones. Las características clave incluyen: Conmutación rápida: garantiza tiempos de respuesta rápidos en sus circuitos de alimentación. Baja resistencia de ON (Rdson): ≤4.5Ω - Minimizando la pérdida de energía y la generación de calor. Baja carga de compuerta (Qg): Típica de 8.5 nC - Reduciendo la energía requerida para la conmutación. Capacitancias de transferencia inversa bajas (Crss): Típico 5.4pF - Minimizando la diafonía en aplicaciones de alta frecuencia. Clasificaciones de energía de avalancha: Pulso único de 80 mJ, repetitivo de 6,4 mJ - Asegurando un funcionamiento robusto en condiciones de sobretensión. Corriente de drenaje continuo (ID): 2.0 A a 25 °C, 1.45 A a 100 °C - Proporcionando un rendimiento constante en una variedad de temperaturas. Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 600 V - Adecuado para aplicaciones de alto voltaje. Tensión de puerta a fuente (VGS): ±30V - Permite una amplia gama de voltajes de accionamiento de puerta. Rendimiento térmico: Resistencia térmica de unión a carcasa (RθJC) 3.57℃/W - Disipación eficiente del calor para un funcionamiento confiable. Rango de temperatura de unión y almacenamiento: -55 a 150℃ - Versátil para diferentes condiciones ambientales. Este MOSFET es perfecto para circuitos de interruptores de alimentación en adaptadores y cargadores, ofreciendo un equilibrio entre eficiencia, fiabilidad y rendimiento. Con su tecnología planar autoalineada, mejora el rendimiento de conmutación y proporciona una solución compacta para la miniaturización del sistema.

Tipo de transistor: Transistor de efecto de campo NMOS de alta potencia Polaridad del transistor: Transistor MOSFET de canal N Especificación: Cuenta con una potencia de disipación de 42W, corriente de drenaje de 2A a 25 ℃, voltaje de drenaje-fuente de 600V y una resistencia de estado encendido de drenaje-fuente de 4.4 Ω. Aplicación: Ideal para una amplia gama de aplicaciones, incluyendo fuentes de alimentación, control de motor y conmutación de alto voltaje. Paquete: Viene en una bolsa antiestática para protección electrostática, asegurando seguridad ESD y larga vida útil.